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2013年環(huán)保工程師物理污染控制講義15

更新時(shí)間:2013-05-29 22:37:47 來(lái)源:|0 瀏覽0收藏0

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摘要 2013年環(huán)保工程師物理污染控制講義――電磁污染防治3

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  二、工頻電場(chǎng)測(cè)量

  1、測(cè)試設(shè)備

  工頻電場(chǎng)測(cè)量的主要設(shè)備是場(chǎng)強(qiáng)儀。場(chǎng)強(qiáng)儀的類(lèi)型主要有獨(dú)立式、參照式、和光電式三種。由感器(探頭)和檢測(cè)器(包括信號(hào)處理回路及表頭)兩部分組成。

  探頭的幾何尺寸應(yīng)比較小,不能因其引入而使被測(cè)電場(chǎng)中各電極表面的電荷分布有明顯的改變。

  場(chǎng)強(qiáng)儀所測(cè)量的是場(chǎng)強(qiáng)脈動(dòng)矢量或旋轉(zhuǎn)矢量在探頭主軸上的投影。場(chǎng)強(qiáng)儀的讀數(shù)由校驗(yàn)標(biāo)定,當(dāng)電場(chǎng)為正弦量時(shí),讀數(shù)表示的是場(chǎng)強(qiáng)的有效值。

  (1)獨(dú)立式場(chǎng)強(qiáng)儀

  獨(dú)立式場(chǎng)強(qiáng)儀的探頭常由兩個(gè)互相對(duì)稱的電極組成,這兩個(gè)電極互相絕緣,又互相靠得很近,可以視為一對(duì)偶極子。

  在均勻電場(chǎng)中偶極子所感生的電荷或者電流與場(chǎng)強(qiáng)有如下關(guān)系:

  式中: ―比例系數(shù),與偶極子的幾何形狀、尺寸有關(guān),通常由校驗(yàn)確定; ―感應(yīng)電荷的有效值; ―電場(chǎng)強(qiáng)度; ―感應(yīng)電流; ―角頻率。

  只要測(cè)出偶極子探頭上的感生電荷或者感生電流,就可以得到相應(yīng)的場(chǎng)強(qiáng)。

  (2)參照式場(chǎng)強(qiáng)儀

  參照式場(chǎng)強(qiáng)儀探頭由置于薄絕緣板上的平板電極和接地保護(hù)電極組成。保護(hù)電極的寬度至少應(yīng)為平板電極邊長(zhǎng)的6%,探頭的厚度不超過(guò)其邊長(zhǎng)的3.5%。探頭與檢測(cè)器常常是分離的,兩者之間用同軸屏蔽電纜連接。

  參照式場(chǎng)強(qiáng)儀常以“地”為參考電位。其工作原理與獨(dú)立式場(chǎng)強(qiáng)儀相仿??捎脕?lái)測(cè)量地平面處的場(chǎng)強(qiáng)。在非均勻電場(chǎng)中測(cè)量的是探頭表面的場(chǎng)強(qiáng)。

  (3)光電式場(chǎng)強(qiáng)儀

  光電式場(chǎng)強(qiáng)儀一般應(yīng)用介質(zhì)晶體探頭在電場(chǎng)中的普克爾(Pockels)效應(yīng)來(lái)確定電場(chǎng)強(qiáng)度。其探頭尺寸通常很小(2cm左右),探頭和檢測(cè)器之間無(wú)電氣連接,僅用光纖相連,故探頭的引入對(duì)被測(cè)電場(chǎng)的影響極小。

  當(dāng)介質(zhì)晶體按一定方向放入電場(chǎng)時(shí),由于電場(chǎng)的作用,晶體對(duì)偏振光的折射率發(fā)生變化,這種變化的大小與電場(chǎng)強(qiáng)度成正比,即透射光 和入射光 之比為: 式中: ; ―光的波長(zhǎng); ―晶體的折射率; ―晶體內(nèi)的電場(chǎng)強(qiáng)度; ―晶體的厚度; ―光電系數(shù)。

  光調(diào)制的大小反映了晶體內(nèi)部場(chǎng)強(qiáng)的數(shù)值,從而也間接測(cè)量了外部電場(chǎng)的場(chǎng)強(qiáng)。

  獨(dú)立式場(chǎng)強(qiáng)儀和光電式場(chǎng)強(qiáng)儀不需要參考電位,可用來(lái)測(cè)量離地不同高度處的空間場(chǎng)強(qiáng)。

  2、電場(chǎng)強(qiáng)度的測(cè)量

  (1)三相輸電線路下電場(chǎng)的測(cè)量

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